Простийпошук |
Розширенийпошук |
Покажчики
|
Професійний пошук |
Рубрикатор НБУВ |
Розподілений пошук |
Бази даних
Наукова періодика України - результати пошуку
Книжкові видання та компакт-дискиЖурнали та продовжувані виданняАвтореферати дисертаційРеферативна база данихНаукова періодика УкраїниТематичний навігаторАвторитетний файл імен осіб
 |
Для швидкої роботи та реалізації всіх функціональних можливостей пошукової системи використовуйте браузер "Mozilla Firefox" |
|
|
Повнотекстовий пошук
| Знайдено в інших БД: | Реферативна база даних (2) |
Список видань за алфавітом назв: Авторський покажчик Покажчик назв публікацій  |
Пошуковий запит: (<.>A=Pud S$<.>) | |||
|
Загальна кількість знайдених документів : 4 Представлено документи з 1 до 4 |
|||
| 1. | 
Petrychuk M. V. Conducting Hybrid Nanocomposites Based on Magnetite Nanoparticles [Електронний ресурс] / M. V. Petrychuk, A. A. Pud, Yu. Noskov, S. A. Pud, V. F. Kovalenko // Proceedings of the International Conference Nanomaterials: Applications and Properties. - 2012. - Vol. 1, no. 2. - С. 02NFC23-02NFC23. - Режим доступу: http://nbuv.gov.ua/UJRN/princon_2012_1_2_25 | ||
| 2. | 
Pud S. Influence of the electrolyte on transport characteristics of ion-sensitive silicon nanowire field effect transistors [Електронний ресурс] / S. Pud, M. Petrychuk, V. Kovalenko // Вісник Київського національного університету імені Тараса Шевченка. Радіофізика та електроніка. - 2013. - Вип. 2. - С. 32-35. - Режим доступу: http://nbuv.gov.ua/UJRN/VKNU_Rte_2013_2_11 Досліджено вплив електроліту на електрофізичні властивості іонно-чутливих польових транзисторів на базі кремнієвих нанониток за допомогою шумової спектроскопії. Занурення польового транзистора на базі кремнієвих нанониток в розчин електроліту призводить до зсуву пороговоі напруги транзистора завдяки зміні потенціалу верхнього шару діелектрику. Також іони електроліту екранують вплив пасток верхнього шару діелектрику на транспорт в каналі транзистора. Для виключення контактних ефектів і підтвердження достовірності екперименту проведено вимірювання транзисторів з різною довжиною каналу. | ||
| 3. | 
Kiselov V. S. Mechanical properties of biomorphous ceramics [Електронний ресурс] / V. S. Kiselov, Yu. S. Borisov, M. Tryus, S. A. Vitusevich, S. Pud, A. E. Belyaev // Semiconductor physics, quantum electronics & optoelectronics. - 2012. - Vol. 15, № 4. - С. 386-392. - Режим доступу: http://nbuv.gov.ua/UJRN/MSMW_2012_15_4_18 Mechanical properties: The Vickers hardness and bending strength of porous biomorphic SiC (bioSiC) ceramics fabricated from different natural hardwoods were investigated. It was been found that these parameters are highly dependent on the geometrical densities of ceramics, and Vickers hardness values can be well described using the Ryskevitch-type equation. It is shown that the data of geometrical density bioSiC ceramics can be used to estimate mechanical parameters such as bending strength. Materials with advanced properties appropriate for surgical applications are being designed. Further ways to improve the mechanical properties of ceramics and ceramic products are been discussed. | ||
| 4. | Pud S. A. Effect of gamma radiation treatment on transport properties of silicon nanowire field effect transistors [Електронний ресурс] / S. A. Pud, M. V. Petrychuk, V. F. Kovalenko // Вісник Київського національного університету імені Тараса Шевченка. Серія : Фізико-математичні науки. - 2013. - Вип. 4. - С. 179-182. - Режим доступу: http://nbuv.gov.ua/UJRN/VKNU_fiz_mat_2013_4_38 | ||
Попередній перегляд: 
Реферативна БД
 |
| Відділ наукової організації електронних інформаційних ресурсів |
 Пам`ятка користувача |